Im Projekt sollen Halbleitermodule mit innovativer und besonders niederinduktiver Aufbautechnik – welche für moderne Siliziumkarbid- oder Galiumnitridchips zwingend benötigt wird – entwickelt werden. Dadurch lassen sich effiziente und kompakte Traktionswechselrichter und DCDC-Wandler beispielsweise für den Automotive-Sektor realisieren.
Datum
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1. 5. 2018 - 30. 4. 2020 |
Länderkürzel
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DE |
Name der begünstigten Einrichtung
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Hochschule für angewandte Wissenschaften Landshut |
Förderrahmen & Förderprogramm
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Bayrisches Staatsministerium für Wirtschaft, Energie und Technologie, Elektronische Systeme in Bayern |
